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台积电正积极研发并推广背面供电网络(BSPDN)方案
报道指出,台积电正积极研发并推广其创新的背面(BSPDN)方案,尽管该方案在实施复杂度和成本上均面临挑战,但预计将于2026年实现量产。当前,台积电的核心竞争力之一在于其领先的超级电轨(Super Power Rail)架构,这一架构因其卓越的性能和能效,在高性能计算(HPC)领域备受推崇,被视为解决复杂
超级电轨架构即将在A16制程工艺中大放异彩,预示着半导体领域将迎来性能与能效的双重飞跃。相较于传统的N2P工艺,该架构在维持相同工作电压时,能实现8%至10%的性能提升;而在速度不变的情况下,功耗则可显著降低15%至20%,同时实现了1.1倍的密度增加,进一步推动了半导体技术的进步。
值得注意的是,背面供电技术的实现是一项高度复杂且技术密集的任务。其中,关键技术之一是将芯片背面精细打磨至与晶体管紧密接触的超薄状态,这一过程虽精湛,但也对晶圆的机械强度构成了考验。为此,台积电创新性地采用了正面抛光后结合载体晶圆粘合技术,有效增强了晶圆在后续背面加工过程中的稳定性,确保了制程的顺利推进。
此外,纳米硅通孔(nTSV)等尖端技术的融入,更是星空体育官方入口 星空体育官网对制造工艺的精度和控制能力提出了前所未有的高要求。为了确保纳米级孔道内铜金属的均匀沉积,台积电不断加大投入,引入高端设备,以支撑这一精密复杂的生产过程。
展望未来,随着台积电超级电轨架构的逐步量产,其不仅将在半导体行业内部掀起一场性能与能效的新竞赛,更将带动整个供应链上下游的协同发展,为整个行业注入强劲的发展动力,开启半导体技术的新篇章。
的逻辑半导体具有10至15层甚至更多的多层布线,细信号线和粗电源线混合在多层布线中,线路层越来越混乱。为了解决芯片设计线路层混乱的问题,
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自去年以来,随着英伟达AI芯片需求的迅猛增长,作为其制造及封装合作伙伴的
(TSMC)在先进封装技术方面面临了前所未有的产能压力。为了应对这一挑战,
的全球制造版图扩张策略是基于客户需求、商机、营运效率、当地支持程度以及经济成本考虑,持续透过必要的投资,支持客户需求
和英特尔,大战一触即发 /
在近日举办的IEEE 国际电子器件会议(IEDM)的小组研讨会上透露,其1.4nm 级工艺制程
总裁魏哲家在一次法说会中透露了有关2纳米芯片的最新进展,并提到了“晶背
与博通、英伟达等大客户密切合作,共同致力于新一代超高速运算芯片的开发,预计明年下半年将开始迎来大规模订单。为此,
传送到正面,而无需电子穿过芯片正面上日益复杂的后道工序(BEOL)堆栈。 图1.
选项:一项DTCO研究 /
,但具体的商用时期和适用对象尚属首次。该公司解释说,技术开发取得了相当大的进展,而且从半导体委托生产的特性上看,随着与发包方就设置
将于 2025 年实现2 纳米制程的量产,采用纳米片晶体管结构。此外,
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